Александр Леонидович Асеев (р. 24.09.1946, г. Улан-Удэ, Республика Бурятия, Россия) – физик. Иностранный член НАН Беларуси (2014). Академик Российской АН (2006, чл.-корр. с 2000). Доктор физико-математических наук (1990). Почетный член Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) (2006), почетный доктор Томского государственного университета (2010), Санкт-Петербургского Академического университета (2018). Почетный профессор Бурятского государственного университета (2010). Почетный работник науки и техники Российской Федерации (2011). Почетный гражданин г. Улан-Удэ (2016). Почетный житель г. Новосибирска (2018).
Основное направление научной деятельности связано с изучением атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники. Изучил атомные механизмы процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии, свойства моноатомных ступеней на поверхности кремния. На основе in situ экспериментов по облучению полупроводниковых кристаллов электронами в ВРЭМ исследовал реакции взаимодействия точечных дефектов между собой, атомами примесей, поверхностью и дислокациями. Установил, что особенности этих реакций определяются метастабильными конфигурациями точечных дефектов в алмазоподобной кристаллической решетке; изучил механизмы атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности для нового поколения элементной базы наноэлектроники. Изучил наименьшее многотерминальное устройство, созданное методами электронной литографии и реактивного ионного травления на основе гетероперехода GaAs/AlGaAs. Показал, что трехконтактная квантовая точка в двумерном электронном газе является малым интерференционным транзистором, управляемым добавлением к точке всего нескольких электронов. Рассчитал картину трехмерной электростатики изучаемого устройства, когерентного двумерного транспорта и интерференции электронных волн в треугольной точке. Разработал технологию получения пластин кремний-на-изоляторе (КНИ) с пленками монокристаллического кремния толщиной до 1 нм (метод DeleCut), на основе которых созданы КНИ-полевые транзисторы микронного, субмикронного и нанометрового размеров, обладающие повышенной радиационной и температурной стойкостью.
Автор более 250 научных трудов, в том числе 5 монографий и 9 патентов.
Премия Правительства Российской Федерации в области образования (2012) за научно-практическую разработку «Научное, учебное и учебно-методическое обеспечение подготовки высококвалифицированных специалистов в области распределенных вычислительных технологий».
Награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» I (2017) и II (2008) степеней, орденом «Полярная звезда» (2010, Монголия), знаком отличия «Гражданская доблесть» Республики Саха (2009, Якутия).