Bel  ·  Eng  ·  Rus   |    Только текст  |   НАНБ в Facebook НАНБ в Vkontakte НАНБ в Telegram НАНБ в Viber НАНБ в Twitter НАНБ в Instagram НАНБ в Youtube НАНБ в LinkedIn НАНБ в SlideShare rss-лента новостей Написать письмо 
   
НАН Беларуси on-line



90 лет НАН Беларуси
Официальный интернет-портал Президента Республики Беларусь
Официальный интернет-сайт Совета Министров Республики Беларусь
Перечень административных процедур, выполняемых НАН Беларуси и ее организациями
Национальный правовой Интернет-портал Республики Беларусь
Академия управления при Президенте Республики Беларусь
Интернет-портал Молодёжь Беларуси
Газета Навука
Журнал Наука и инновации
Республиканский Центр Трансфера Технологий

Николай Геннадиевич Басов (К 75-летию со дня рождения)

Главная страница / Издания академии / Научные журналы

Николай Геннадиевич Басов (К 75-летию со дня рождения)

ЖУРНАЛ ПРИКЛАДНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Издатель: ГНУ "Институт молекулярной и атомной физики НАН Белоруси", Минск, Беларусь

Статья из тома 64, номера 6, 1997 (с. 845-846)

Журнал
Николай Геннадиевич Басов (К 75-летию со дня рождения)

14 декабря 1997 г. исполняется 75 лет выдающемуся физику XX века, одному из основоположников лазерной физики академику Российской Академии наук Николаю Геннадиевичу Басову.

Сейчас, когда квантовая электроника, лазерная физика, лазерная техника и инженерия являются неотъемлемым элементом самых передовых разработанных и разрабатываемых человечеством технологий, когда приборы и устройства квантовой электроники применяются даже в быту, весомей и зримей становятся заслуги Н.Г. Басова, давшего миру новый источник технического прогресса, фактически открывшего новую страницу мировой технологической культуры.

Н.Г. Басов родился в г. Усмани Липецкой обл. в семье Геннадия Федоровича Басова, позже профессора Воронежского государственного университета. После окончания в 1941 г. средней школы он с первых дней войны уходит в армию, после демобилизации поступает в Московский механический институт (впоследствии Московский инженерно-физический институт (МИФИ)) и с 1948 г. наряду с учебой работает в лаборатории колебаний Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР (ФИАН). Первые работы Николая Геннадиевича относятся к области радиоспектроскопических методов определения ядерных моментов.

В начале 50-х годов Н.Г. Басов и А.М. Прохоров выдвинули и теоретически обосновали основополагающие принципы усиления и генерации электромагнитных волн квантовыми системами с инверсной заселенностью, позволившие им создать принципиально новые источники электромагнитных волн радиочастотного диапазона - квантовые генераторы (мазеры) и малошумящие квантовые усилители. В этот же период ими предложен универсальный метод создания инверсной заселенности при оптической накачке трехуровневых систем. За открытие нового принципа генерации излучения и создание квантового генератора на пучке молекул аммиака в 1959 г. Н.Г. Басову и А.М. Прохорову была присуждена Ленинская премия.

Во второй половине 50-х годов Н.Г. Басов работает над расширением принципов квантового усиления и генераций на оптический диапазон и с 1957 г. разрабатывает методы создания инверсной заселенности в полупроводниках, а в 1961 г. обосновывает возможность создания инжекционных полупроводниковых лазеров. Эти исследования предопределили интенсивное развитие физики и техники полупроводниковых лазеров различных типов, объем производства которых в настоящее время приблизился к 200 млн. штук в год.

Исключительное значение нового направления и науке и научно-техническом прогрессе становится очевидным в начале 60-х годов и в 1964 г. трем его родоначальникам - Н.Г. Басову, А.М. Прохорову и американскому физику Ч. Таунсу - присуждается Нобелевская премия по физике за фундаментальные исследования в области квантовой электроники, приведшие к созданию мазеров и лазеров.

В начале 60-х годов, когда энергия твердотельных лазеров в импульсе достигала только 1 Дж, а мощность непрерывных - 1 Вт, Н.Г. Басовым выдвигается казавшаяся многим утопической идея лазерного подхода к проблеме управляемого термоядерного синтеза. И уже в 1968 г. им и его сотрудниками были зарегистрированы нейтроны, полученные лазерным облучением мишеней из LiD. Эти результаты, представленные Н.Г. Басовым на Международной конференции по квантовой электронике в США (1968 г.), инициировали международное сотрудничество по лазерному термоядерному синтезу. Для таких исследований Н.Г. Басовым создается многоканальная лазерная установка на неодимовом стекле "Кальмар", обеспечивавшая симметричное облучение мишеней с интенсивностью 1014 Вт • см -2 и сжатие термоядерного горючего до плотности 8 г • см-3. На этой установке получены нейтроны термоядерных D-D-реакций и вторичных D-Т-реакций. В ходе исследований была предложена оболочечная модель мишени, признанная наиболее эффективной для реализации лазерного термоядерного синтеза.

С 1962 г. Н.Г. Басов возглавляет разработку устройств квантовой электроники повышенной мощности, ориентированных на использование в обороне страны, в частности, для лазерного поражения воздушно-космических целей, в результате которых создаются новые мощные фотодиссоционные, эксимерные, электроионизационные и химические лазеры. Им и его учениками в этот период разработан эффективный метод электронно-пучковой накачки жидкого ксенона, позволивший впервые получить генерацию непосредственно на фотодиссоционном переходе. Развиваются принципы построения фотодиссоционных (йодных) лазеров, использующих для накачки активной среды ударную волну, совместно с научным коллективом ВНИИЭФ ("Арзамас-16") создаются сверхмощные йодные фотодиссоционные лазеры взрывного типа.

Н.Г. Басову принадлежит инициатива постановки исследований по разработке нелинейно-оптических методов повышения яркости лазерных пучков с привлечением методов вынужденного комбинационного и Мандельштама-Бриллюэна рассеяния света, позволивших не только создать мощные ВКР-лазеры-сумматоры, но и открыть и использовать явление обращения волнового фронта при ВРМБ.

Бесспорны заслуги Н.Г. Басова и в организации разработки лазерного и комбинированного (гибридного) термоядерного реактора, организации международного сотрудничества в решении чрезвычайно важной проблемы управляемого термоядерного синтеза.

Детищем Н.Г. Басова является филиал ФИАН в г. Самаре, созданный для разработки технологических лазеров и лазерных технологий, а также межведомственная лаборатория лазерной хирургии ФИАН.

Научные интересы Николая Геннадиевича гармонично сочетаются с научно-педагогической и научно-организационной деятельностью. Им воспитана плеяда высокопрофессиональных, талантливых физиков, среди которых и члены РАН. Он - создатель и руководитель Высшей школы физики при МИФИ и ФИАН, заведующий кафедрой МИФИ.

Обширна научно-организационная сфера деятельности Н.Г. Басова: член Президиума РАН, длительное время директор ФИАН, председатель общества "Знание", главный редактор журналов "Квантовая электроника" и "Природа".

Заслуги Н.Г. Басова отмечены самыми высокими званиями и наградами. Он дважды Герой Социалистического труда, лауреат Ленинской, Нобелевской и Государственной премий, награжден пятью Орденами Ленина и Орденом Отечественной войны II степени, удостоен Золотой медали им. Ломоносова АН СССР. С 1966 г. он академик АН СССР (РАН), избран членом многих иностранных академий. Национальная Академия наук Беларуси в знак признания высоких заслуг Николая Геннадиевича Басова перед мировой наукой и человечеством избрала его своим иностранным членом.

Редколлегия "Журнала прикладной спектроскопии" горячо и сердечно поздравляет Николая Геннадиевича с юбилеем, желает ему крепкого здоровья и творческого долголетия.

Журнал


Разработана и поддерживается Николаем Н. Костюковичем. Последнее обновление: 12 ноября 2006 г.
Создана при участии Игнатия И. Корсака
Копирайт © 1999-2006 Национальная академия наук Беларуси
Копирайт © 1997 Журнал прикладной спектроскопии