Дарья Ивановна Тишкевич (р. 29.12.1989, г. Минск), инженер электронной техники, кандидат физико-математических наук (2019).
Разработаны научно-технические основы электрохимического синтеза аморфных и кристаллических пленок и покрытий с широким спектром физико-технических и прикладных свойств. Впервые экспериментально исследовано влияние органических добавок на процесс синтеза пленок висмута, установлены закономерности изменения их микроструктуры, фазового состава, физических и функциональных свойств от условий электрохимического осаждения. Разработана технология формирования композиционных материалов на основе вольфрама. Установлена корреляция между фазовым, химическим составом композиционных материалов и эффективностью экранирования ионизирующих излучений. Полученные результаты позволили использовать разработанные технологии для формирования высокоэффективных радиационных экранов для полупроводниковых приборов от воздействия электронов, протонов и высокоэнергетических частиц радиационного пояса Земли. В частности, результаты исследований были внедрены и использованы в ряде технологических процессов в производстве специализированных корпусов полупроводниковых приборов с повышенной радиационной стойкостью (ОАО «Интеграл», АО «Тестприбор» г. Москва). Проводилась работа по синтезу и исследованию морфологии, структуры, магнитных и электрических свойств сложных оксидов железа (гексагональные ферриты) и магнитных композиционных материалов на основе никеля, железа и кобальта, внедренных в матрицу из анодного оксида алюминия.
Лауреат стипендии Президента Республики Беларусь студентам (2014) и аспирантам (2018), лауреат премии для молодых ученых НАН Беларуси имени академика Ж.И. Алферова (2019), стипендиат Всемирной федерации ученых (2019).
Автор более 160 научных работ, в т.ч. 45 в зарубежных рецензируемых журналах, 2 патентов.