Фёдор Павлович Коршунов (р. 15.05.1934, д. Травна, Краснопольского р-на, Могилевской обл.), ученый в области радиационной физики твердого тела, физики полупроводников и микроэлектроники. Член-корреспондент Национальной академии наук Беларуси (1984), доктор технических наук (1975), профессор (1981).

Работы по радиационной физике твердого тела, физике полупроводников, микроэлектронике и радиационной технологии полупроводниковых приборов. Установил причины деградации характеристик полупроводниковых р-n-структур при облучении их ионизирующими излучениями. Обнаружил радиационные эффекты расширения и смещения р-n-перехода, термостабилизации напряжения лавинного пробоя р-n-перехода, эффект малых доз облучения в высокоомном кремнии, эпитаксиальных пленках и МДП-структурах, приводящий к упорядочению неравновесности структуры. Экспериментально зарегистрировано и исследовано рентгеновское излучение в кристаллах кремния при каналировании электронов с энергией 4-5 МэВ.

Автор более 460 научных работ, в т.ч. 3 монографий, 69 изобретений.

Государственная премия БССР 1980 г. за комплекс исследований и разработку прогрессивной технологии изготовления полупроводниковых приборов и ее внедрение в производство.

Награжден орденом "Знак Почета" (1986), 3 медалями.

Основные труды:

1. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Мн.: Наука и техника, 1978 (в соавт.).
2. Проникающие излучения в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем // Вестник АН СССР. 1982. №11.
3. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Мн.: Наука и техника, 1986 (в соавт.).