Калектыў беларускіх і сібірскіх вучоных стаў лаўрэатам прэміі імя акадэміка Капцюга 2022 года за цыкл прац «Магутныя звышвысокачастотныя фотадыёды на аснове паўправадніковых гетэраструктур А3В5 для сістэм радыёфатонікі». Такое рашэнне прыняў Прэзідыум НАН Беларусі.
З беларускага боку лаўрэатамі сталі: Аляксандр Чыж, загадчык лабараторыі дзяржаўнага навукова-вытворчага аб’яднання «Оптыка, оптаэлектроніка і лазерная тэхніка», кандыдат фізіка-матэматычных навук, і Кірыл Мікітчук, намеснік загадчыка лабараторыі дзяржаўнага навукова-вытворчага аб’яднання «Оптыка, оптаэлектроніка і лазерная тэхніка», кандыдат фізіка-матэматычных навук.
З расійскага боку прэмія прысуджана: Канстанціну Жураўлёву, загадчыку лабараторыі Федэральнай дзяржаўнай бюджэтнай установы навукі «Інстытут фізікі паўправаднікоў імя А. В. Ржанава» Сібірскага аддзялення РАН, доктару фізіка-матэматычных навук, і Аляксандру Гілінскаму, старшаму навуковаму супрацоўніку Федэральнай дзяржаўнай бюджэтнай установы навукі «Інстытут фізікі паўправаднікоў імя А. В. Ржанава» Сібірскага аддзялення РАН, кандыдату фізіка-матэматычных навук.
Сумесная навуковая работа накіравана на прыборнае прымяненне тэхналогій вырошчвання і апрацоўкі паўправадніковых гетэраструктур на аснове матэрыялаў А3В5 у інтарэсах высокатэхналагічных галін народнай гаспадаркі. Упершыню ў Рэспубліцы Беларусь і Расійскай Федэрацыі была праведзена распрацоўка канструкцыі і тэхналогіі вытворчасці магутных звышвысокачастотных (ЗВЧ) фотадыёдаў для ліній перадачы ЗВЧ-сігналаў. Прымяненне магутных ЗВЧ-фотадыёдаў дазваляе ствараць валаконна-аптычныя лініі перадачы аналагавых ЗВЧ-сігналаў, якія забяспечваюць рэзкае (да тысяч разоў, у залежнасці ад частаты сігналу) зніжэнне страт магутнасці сігналу ў лініі, неадчувальнасць канала перадачы да электрамагнітных перашкод і гальванічную развязку вузлоў сістэмы, а таксама магчымасць стварэння цалкам аптычных трактаў, неабходных для радыёфатонных сістэм апрацоўкі ЗВЧ-сігналаў. Вынікі, атрыманыя ў ходзе выканання сумесных даследаванняў і распрацовак, закладаюць аснову для стварэння новых элементаў і прыборных структур опта- і ЗВЧ-электронікі, радыёфатонікі і распрацоўкі тэхналогій іх вытворчасці.