Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург продемонстрировали температурную устойчивость микродисковых лазеров на основе InGaN/GaN. Работа открывает новые возможности для создания фотонных схем внутри электронных устройств. Об этом «Газете.Ru» сообщили в пресс-службе образовательного учреждения.