Дар'я Іванаўна Цiшкевiч (29.12.1989, г. Мінск), інжынер электроннай тэхнікі, кандыдат фізіка-матэматычных навук(2019).
Распрацаваны навукова-тэхнічныя асновы электрахімічнага сінтэзу аморфных і крышталічных плёнак і пакрыццяў з шырокім спектрам фізіка-тэхнічных і прыкладных уласцівасцей. Упершыню эксперыментальна даследаваны ўплыў арганічных дабавак на працэс сінтэзу плёнак вісмута, устаноўлены заканамернасці змянення іх мікраструктуры, фазавага складу, фізічных і функцыянальных уласцівасцей ад умоў электрахімічнага атачэння. Распрацавана тэхналогія фарміравання кампазіцыйных матэрыялаў на аснове вальфраму. Усталявана карэляцыя паміж фазавым, хімічным складам кампазіцыйных матэрыялаў і эфектыўнасцю экранавання іанізуючых выпраменьванняў. Атрыманыя вынікі дазволілі выкарыстоўваць распрацаваныя тэхналогіі для фарміравання высокаэфектыўных радыяцыйных экранаў для паўправадніковых прыбораў ад уздзеяння электронаў, пратонаў і высокаэнергетычных часціц радыяцыйнага пояса Зямлі. У прыватнасці, вынікі даследаванняў былі апрабіраваны і выкарыстаны ў шэрагу тэхналагічных працэсаў у вытворчасці спецыялізаваных карпусоў паўправадніковых прыбораў з павышанай радыяцыйнай устойлівасцю (ААТ «Інтэграл», АТ «Тестприбор» г. Масква). Праводзілася работа па сінтэзе і даследаванню марфалогіі, структуры, магнітных і электрычных уласцівасцей складаных аксідаў жалеза (гексагональные ферыты) і магнітных кампазіцыйных матэрыялаў на аснове нікеля, жалеза і кобальта, уведзеных у матрыцу з аноднага аксіду алюмінія.
Лаўрэат стыпендыі Прэзідэнта Рэспублікі Беларусь студэнтам (2014) і аспірантам (2018), лаўрэат прэміі для маладых навукоўцаў НАН Беларусі імя акадэміка Ж.I. Алфёрава (2019), стыпендыят Сусветнай федэрацыі вучоных (2019).
Аўтар больш за 160 навуковых прац, у тым ліку 45 у замежных рэцэнзуемых часопісах, 2 патэнтаў.